2023-2029年中国内存接口芯片市场前景研究与未来前景预测报告

内存产品	基本情况
DDR	首代DDR产品，是SDR SDRAM的升级版。IDT研发出一款13-26位寄存器缓冲器，专为匹配内存而设计，用于2.3-2.7V下的DDR266、DDR333以及2.5-2.7V下的DDR400。
DDR2	DDR2于2004年而世，拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力，且在节能方而做得更加优秀。这一时期，第一代的高级内存缓冲器出现，成为个缓冲双列直插内存模组(FBDIMM)架构最为关键的芯片。它解决了传统并行式内存架构速度与容量难以兼顾的问题，使服务器和高性能计算机的性能有了质的飞跃，但同时因为使用量多丽出现功耗大的问题。
DDR3	DDR3于2007年而世，相较于DDR2,提供了更高的运行效能与更低的电压此阶段内存接口芯片得到一步发展，通过减低内存控制器的负载和改善信号完整性，从而增加内存系统的支持容量和带宽。同时在可靠性与功耗方面也做了进一步提升，以提高此时期服务器的内存容量和数据处理速度。
DDR4	DDR4于2014年面世，在传输速率和数据可靠性上做了进一步提升(8n-bit内存预读取，最高可实现32位)，并采用1.2V工作电压，更为节能。从这一时期开始，由于技术的更加成熟，内存接口芯片的发展进入繁荣时段，规格更加齐个，在性能功耗方面达到更高水准并可在所有JEDEC定义的DDR4 LRDIMM和RDIMM上实现更高密度、更快速率的数据处理此外，有些产品还可以支打NVDIMM〔非易失性双列直插内存模组)模式，为计算机内存体系增加了新层级的功能，实现DRAM速率级的非易失性内存访问。
DDR5	DDR5采用了更低的工作电压(1.1V),同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步轻松实现4800MT/s的超高运行速率，是DDR4最高速率的1.5倍。目前应用于DDR5的第一代内存接口芯片正处于进一步研发中。

企业名称	介绍
IDT（IDTL.O）	成立于1980年，总部位于美国，是一家为通信、计算机和消费类行业提供组合信号半导体解决方案的公司。IDT可提供DDR3和DDR4LRDIMM存储器接口解决方案、SerialrapidIo、PCI Express交换机和网桥、信号完整性产品和电源管理解决方案，以满足企业服务器应用的需求。IDT报告显示其2022财年前三季度营业收入70,458.70万美元，净利润8,782.60万美元，其中内存接口芯片领域收入为20,678.70万美元，约占总收入比例为30%。
Rambus（RMBS.O）	成立于1990年，总部位于美国，是一家技术解决方案研发公司，并提供安全研发、高级LED照明设备和显示器以及拟真移动媒体领域的产品与服务。Rambus从创立之初便致力于高端存储产品的研究与开发，目前产品应用于高性能个人电脑、图形工作站、服务器和其他对带宽和时间延迟有一定要求的设备。Rambus2018年前三季度营业收入16,263.80万美元，净利润-15,593.90万美元。
澜起科技	公司成立于2004年，致力于云计算和人工智能领域提供高性能芯片解决方案，是全球内存接口芯片的主要供应商之一，目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。近三年，公司营收规模保持高速增长，利润呈倍速增长，盈利能力持续提升。近两年公司的营收增速都在40%以上，2018年，公司实现营业收入17.58亿元，同比增长43.19%。